Vedcom SAV sa podarilo výrazne znížiť tepelný odpor HEMT tranzistorov
03.01.2025Vedci a vedkyne Elektrotechnického ústavu SAV, v. v. i., Slovenskej technickej univerzity v Bratislave a Wuhanskej univerzity dosiahli významný pokrok v oblasti výskumu tranzistorov s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT) pripravených z polovodiča GaAs. Tieto tranzistory sú kľúčové pre vysokofrekvenčnú komunikáciu a kvantové počítanie. Výskum vedeckého tímu sa zameral na zlepšenie tepelného transportu GaAs […]