Vedcom SAV sa podarilo výrazne znížiť tepelný odpor HEMT tranzistorov
Vedci a vedkyne Elektrotechnického ústavu SAV, v. v. i., Slovenskej technickej univerzity v Bratislave a Wuhanskej univerzity dosiahli významný pokrok v oblasti výskumu tranzistorov s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT) pripravených z polovodiča GaAs.
Tieto tranzistory sú kľúčové pre vysokofrekvenčnú komunikáciu a kvantové počítanie. Výskum vedeckého tímu sa zameral na zlepšenie tepelného transportu GaAs nanomembrán prenesených na substráty ako zafír, kremík (Si), karbid kremíka (SiC) a diamant pomocou technológie epitaxného oddelenia (ELO). „Tieto substráty zlepšili odvod tepla, pričom simulácie ukázali pokles tepelného odporu súčiastok až o 30 percent pri použití SiC a diamantu. Optimalizácia rozhraní môže znížiť operačnú teplotu až o 40 percent,“ priblížil výsledky Ing. Filip Gucmann, PhD., z Elektrotechnického ústavu SAV.
Technológia ELO navyše umožňuje opätovné použitie GaAs substrátov, čím znižuje výrobné náklady a podporuje udržateľnosť. „Výskum zdôrazňuje potenciál cenovo dostupnejšieho SiC, ktorý ponúka výhody podobné diamantu, a môže viesť k nižším pracovným teplotám GaAs HEMT tranzistorov a zvýšeniu ich spoľahlivosti,“ zdôraznil Filip Gucmann.
ZDIEĽAŤ ČLÁNOK
